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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

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详细信息 商品参数 推荐商品 相关商品 促销活动 相关信息

　　本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
　　本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10Ω～5000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。

发布日期： 2009-10-30
实施日期： 2010-6-1

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硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

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