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《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法》送审

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  本标准是对GB/T 14863-1993《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓
度的标准方法》修订,本标准与GB/T 14863-1993《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延
层中净载流子浓度的标准方法》相比,主要有下列变化:

  1) 增加了标准的“前言”。

  2) 调整并增加了引用标准。

  3) 对试验条件、试验方法进行了简化和调整。

  4) 对附录进行了调整。

  本标准附录A、附录B是规范性附录,附录C是资料性附录。

  附件:送国-用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
作者:佚名 来源:中国电子工业标准化技术网 发布时间:2008年09月19日
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