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纳米电子材料研发获突破

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  日前,中日科研机构通力合作,采用化学气相沉积方法,在生长BN纳米管的同时实现了F的均匀掺杂,获得了N型的BN半导体纳米管。

  与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同,BN纳米管通常表现出稳定一致的电学特性。为实现对F掺杂BN纳米管本征物性的研究,研究人员利用电子束光刻与Lift-off微加工技术,在分散提纯的单根F掺杂BN上制作出用于输运性质测量的微电极,研究了单根F掺杂BN纳米管的电导特性,发现F掺杂实现了BN纳米管从绝缘体向半导体的转变,低于5%的F掺杂浓度使BN纳米管的电导提高3个数量级以上。

  研制单位:中国科学院物理所和日本物质材料研究机构

作者:佚名 来源:中国高新技术产业导报 发布时间:2005年06月17日
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