纳米电子材料研发获突破

　　华声报讯：日前，中日科研机构通力合作，采用化学气相沉积方法，在生长BN纳米管的同时实现了F的均匀掺杂，获得了N型的BN半导体纳米管。

　　据中国高新技术产业导报报道，与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，BN纳米管通常表现出稳定一致的电学特性。为实现对F掺杂BN纳米管本征物性的研究，研究人员利用电子束光刻与Lift-off微加工技术，在分散提纯的单根F掺杂BN上制作出用于输运性质测量的微电极，研究了单根F掺杂BN纳米管的电导特性，发现F掺杂实现了BN纳米管从绝缘体向半导体的转变，低于5%的F掺杂浓度使BN纳米管的电导提高3个数量级以上。