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召开2006年全国半导体设备与材料标委会材料分会年会

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各标委会委员、会员单位及相关单位:

  现定于2006年11月27日~30日在湖南省长沙市召开2006年度全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会年会,请各标委会委员、会员单位及相关单位出席会议。现将有关事宜通知如下:

  一、会议内容和会议日程

  1、2006年11月27日:全天报到。

  2、2006年11月 28日~30日:开会

  会议内容如下:
  ① 国家标准化管理委员会、全国半导体设备与材料标准化技术委员会领导讲话。
  ② 全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会秘书处作2006年度工作总结报告。
  ③ 表彰2006年度半导体材料标准化先进工作者
  ④ 落实2007年度半导体材料国、行标计划项目及推荐起草单位(见附件1)。P会员单位可在此基础上提出新标准项目,并经会议论证后确认。
  ⑤ 审定和讨论一批标准项目(见附件2)。

  二、会议报到地点及乘车路线

  1、报到地点: 湖南省长沙市枫林宾馆(长沙市枫林路81号)

  2、乘车路线:
  ①长沙火车站出站口前公交车坪乘坐12路、312路、314路、202路、彭立珊公交车至溁湾镇。火车站乘坐出租车到枫林宾馆费用约15元左右。②在机场乘民航大巴至民航大酒店,再转乘12路、312路、314路、202路、彭立珊公交车至溁湾镇。机场乘出租车到枫林宾馆费用约需90元左右。

  三、联系人、联系电话

  本次会议的由湖南芙蓉旅行社承办。
  联系电话: 0731-8870089、0731-8883188
  标委会秘书处:贺东江、向 磊(010)62228796。

  四、费用

  会议收取会务费800元/人。住宿统一安排,费用自理

  五、回执单

  务请各位参会代表将回执填妥,并于2006年11月20日前传真或请电话告知至秘书处,以便安排住宿等各项会务工作。否则将不能保证住宿和会议资料。

  附件1: 任务落实和推荐项目
  附件2: 审定和讨论项目

二○○六年十月十四日

  抄报:国家标准化管理委员会
    中国有色金属工业协会
    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  附件1:

任务落实和推荐项目

序号
计划编号
项目名称
被代替国标号
完成年限
原起草单位
1.
20064809-T-469
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4061-1983
2008
峨嵋半导体材料厂
2.
20065620-T-469
半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1555-1997
2007
峨嵋半导体材料厂
3.
20065621-T-469
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T 6616-1995
2007
上海有色金属研究所
4.
20065622-T-469
电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13387-1992
2007
北京有色金属研究总院
5.
20065623-T-469
高纯镓
GB/T 10118-1988
2007
北京有色金属研究总院
6.
20065624-T-469
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14141-1993
2007
峨嵋半导体材料厂
7.
20065625-T-469
硅抛光片表面平整度测试方法
GB/T 6621-1995
2007
上海第二冶炼厂
8.
20065626-T-469
硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 6624-1995
2007
上海第二冶炼厂
9.
20065627-T-469
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4058-1995
2007
峨嵋半导体材料厂
10.
20065628-T-469
硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
GB/T 13388-1992
2007
北京有色金属研究总院
11.
20065629-T-469
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6617-1995
2007
上海有色金属研究所
12.
20065630-T-469
硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6618-1995
2007
北京有色金属研究总院
13.
20065631-T-469
硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6620-1995
2007
洛阳单晶硅有限责任公司
14.
20065632-T-469
硅片弯曲度测试方法
GB/T 6619-1995
2007
洛阳单晶硅有限责任公司
15.
20065633-T-469
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14146-1993
2007
上海第二冶炼厂
16.
20065634-T-469
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1558-1997
2007
峨嵋半导体材料厂
17.
20065636-T-469
锑化铟多晶、单晶及切割片
GB/T11072-89
2007
峨嵋半导体材料厂
18.
行标
硅粉
制定
2008

附件2:
审定和讨论项目
(项目稿件可在www.cnsmq.com下载)

序号
标准名称
制定或修订
起草单位
备注
1.
高纯二氧化锗分析方法(6部分)YS/T 37-1992
修订
国家有色金属及电子材料分析测试中心
审定
2.
硅多晶GB/T 12963-1996
修订
峨眉半导体材料厂
审定
3.
硅片直径测量方法(GB/T 14140.1-1993、GB/T 14140.2-1993)
整合修订
洛阳单晶硅有限责任公司
审定
4.
锗单晶、锗单晶片(GB/T 15713-1995、GB/T 5238-1995)
整合修订
南京锗厂有限责任公司
审定
5.
半导体材料术语GB/T 14264-1993
修订
有色标准所、北京有色院、浙大海纳、上海贝岭、电子55所、中科院半导体所、洛阳单晶硅、峨眉半导体、万向硅峰、洛阳中硅、南京锗厂、东兴集团公司、宁波立立、西安骊晶、电子13所、广州半导体所等
审定
6.
高纯四氯化锗YS/T13-1991
修订
北京有色金属研究总院
审定
7.
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997
修订
峨嵋半导体材料厂
审定
8.
硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995
修订
洛阳单晶硅有限责任公司
讨论
9.
硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995
修订
洛阳单晶硅有限责任公司
讨论
10.
硅外延片GB/T 14139-1993
修订
宁波立立电子材料有限公司
讨论
11.
锗精矿YS/T 300-1994
修订
云南东兴集团公司
讨论

作者:佚名 来源:中国有色金属工业标准计量质量研究所 发布时间:2006年10月24日
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