各标委会委员、会员单位及相关单位:
现定于2006年11月27日~30日在湖南省长沙市召开2006年度全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会年会,请各标委会委员、会员单位及相关单位出席会议。现将有关事宜通知如下:
一、会议内容和会议日程
1、2006年11月27日:全天报到。
2、2006年11月 28日~30日:开会
会议内容如下:
① 国家标准化管理委员会、全国半导体设备与材料标准化技术委员会领导讲话。
② 全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会秘书处作2006年度工作总结报告。
③ 表彰2006年度半导体材料标准化先进工作者
④ 落实2007年度半导体材料国、行标计划项目及推荐起草单位(见附件1)。P会员单位可在此基础上提出新标准项目,并经会议论证后确认。
⑤ 审定和讨论一批标准项目(见附件2)。
二、会议报到地点及乘车路线
1、报到地点: 湖南省长沙市枫林宾馆(长沙市枫林路81号)
2、乘车路线:
①长沙火车站出站口前公交车坪乘坐12路、312路、314路、202路、彭立珊公交车至溁湾镇。火车站乘坐出租车到枫林宾馆费用约15元左右。②在机场乘民航大巴至民航大酒店,再转乘12路、312路、314路、202路、彭立珊公交车至溁湾镇。机场乘出租车到枫林宾馆费用约需90元左右。
三、联系人、联系电话
本次会议的由湖南芙蓉旅行社承办。
联系电话: 0731-8870089、0731-8883188
标委会秘书处:贺东江、向 磊(010)62228796。
四、费用
会议收取会务费800元/人。住宿统一安排,费用自理
五、回执单
务请各位参会代表将回执填妥,并于2006年11月20日前传真或请电话告知至秘书处,以便安排住宿等各项会务工作。否则将不能保证住宿和会议资料。
附件1: 任务落实和推荐项目
附件2: 审定和讨论项目
二○○六年十月十四日
抄报:国家标准化管理委员会
中国有色金属工业协会
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
附件1:
序号 |
计划编号 |
项目名称 |
被代替国标号 |
完成年限 |
原起草单位 |
1. |
20064809-T-469 |
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 |
GB/T 4061-1983 |
2008 |
峨嵋半导体材料厂 |
2. |
20065620-T-469 |
半导体单晶晶向测定方法 |
GB/T 1555-1997 |
2007 |
峨嵋半导体材料厂 |
3. |
20065621-T-469 |
半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 |
GB/T 6616-1995 |
2007 |
上海有色金属研究所 |
4. |
20065622-T-469 |
电子材料晶片参考面长度测量方法 |
GB/T 13387-1992 |
2007 |
北京有色金属研究总院 |
5. |
20065623-T-469 |
高纯镓 |
GB/T 10118-1988 |
2007 |
北京有色金属研究总院 |
6. |
20065624-T-469 |
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 |
GB/T 14141-1993 |
2007 |
峨嵋半导体材料厂 |
7. |
20065625-T-469 |
硅抛光片表面平整度测试方法 |
GB/T 6621-1995 |
2007 |
上海第二冶炼厂 |
8. |
20065626-T-469 |
硅抛光片表面质量目测检验方法 |
GB/T 6624-1995 |
2007 |
上海第二冶炼厂 |
9. |
20065627-T-469 |
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 |
GB/T 4058-1995 |
2007 |
峨嵋半导体材料厂 |
10. |
20065628-T-469 |
硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 |
GB/T 13388-1992 |
2007 |
北京有色金属研究总院 |
11. |
20065629-T-469 |
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 |
GB/T 6617-1995 |
2007 |
上海有色金属研究所 |
12. |
20065630-T-469 |
硅片厚度和总厚度变化测试方法 |
GB/T 6618-1995 |
2007 |
北京有色金属研究总院 |
13. |
20065631-T-469 |
硅片翘曲度非接触式测试方法 |
GB/T 6620-1995 |
2007 |
洛阳单晶硅有限责任公司 |
14. |
20065632-T-469 |
硅片弯曲度测试方法 |
GB/T 6619-1995 |
2007 |
洛阳单晶硅有限责任公司 |
15. |
20065633-T-469 |
硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 |
GB/T 14146-1993 |
2007 |
上海第二冶炼厂 |
16. |
20065634-T-469 |
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 |
GB/T 1558-1997 |
2007 |
峨嵋半导体材料厂 |
17. |
20065636-T-469 |
锑化铟多晶、单晶及切割片 |
GB/T11072-89 |
2007 |
峨嵋半导体材料厂 |
18. |
行标 |
硅粉 |
制定 |
2008 |
|
序号 |
标准名称 |
制定或修订 |
起草单位 |
备注 |
1. |
高纯二氧化锗分析方法(6部分)YS/T 37-1992 |
修订 |
国家有色金属及电子材料分析测试中心 |
审定 |
2. |
硅多晶GB/T 12963-1996 |
修订 |
峨眉半导体材料厂 |
审定 |
3. |
硅片直径测量方法(GB/T 14140.1-1993、GB/T 14140.2-1993) |
整合修订 |
洛阳单晶硅有限责任公司 |
审定 |
4. |
锗单晶、锗单晶片(GB/T 15713-1995、GB/T 5238-1995) |
整合修订 |
南京锗厂有限责任公司 |
审定 |
5. |
半导体材料术语GB/T 14264-1993 |
修订 |
有色标准所、北京有色院、浙大海纳、上海贝岭、电子55所、中科院半导体所、洛阳单晶硅、峨眉半导体、万向硅峰、洛阳中硅、南京锗厂、东兴集团公司、宁波立立、西安骊晶、电子13所、广州半导体所等 |
审定 |
6. |
高纯四氯化锗YS/T13-1991 |
修订 |
北京有色金属研究总院 |
审定 |
7. |
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997 |
修订 |
峨嵋半导体材料厂 |
审定 |
8. |
硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995 |
修订 |
洛阳单晶硅有限责任公司 |
讨论 |
9. |
硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995 |
修订 |
洛阳单晶硅有限责任公司 |
讨论 |
10. |
硅外延片GB/T 14139-1993 |
修订 |
宁波立立电子材料有限公司 |
讨论 |
11. |
锗精矿YS/T 300-1994 |
修订 |
云南东兴集团公司 |
讨论 |