2006年全国半导体设备和材料标委会材料分委会会议安排
第一次会议:项目包括(修改) (洛阳) 六月
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国标
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项目名称
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主起草单位
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备注
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GB/T 14264-1993
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半导体材料术语
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中国有色金属工业标准计量质量研究所、有色院等
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第二次会议
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GB/T 1555-1997
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半导体单晶晶向测定方法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 1558-1997
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硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 4058-1995
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硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 6616-1995
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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
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有研半导体材料股份有限公司
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讨论会
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GB/T 6617-1995
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硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
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中科院半导体所
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讨论会
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GB/T 6618-1995
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硅片厚度和总厚度变化测试方法
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有研半导体材料股份有限公司
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讨论会
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GB/T 6619-1995
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硅片弯曲度测试方法
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洛阳单晶硅有限责任公司
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讨论会
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GB/T 6620-1995
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硅片翘曲度非接触式测试方法
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洛阳单晶硅有限责任公司
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讨论会
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GB/T 6621-1995
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硅抛光片表面平整度测试方法
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上海合晶硅材料有限公司
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讨论会
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GB/T 6624-1995
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硅抛光片表面质量目测检验方法
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上海合晶硅材料有限公司
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讨论会
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GB/T 10118-1988
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高纯镓
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有研半导体材料股份有限公司
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讨论会
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GB/T 11072-1989
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锑化铟多晶、单晶及切割片
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 13387-1992
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电子材料晶片参考面长度测量方法
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有研半导体材料股份有限公司
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讨论会
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GB/T 13388-1992
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硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
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有研半导体材料股份有限公司
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讨论会
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GB/T 14141-1993
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硅处延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 14146-1993
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硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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第二次会议:项目包括 (青岛) 八月
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国标
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项目名称
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主起草单位
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备注
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GB/T 1550-1997
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非本征半导体材料导电类型测试方法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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整合
GB/T 1551-1995
GB/T 1552-1995
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硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
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广州半导体所
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讨论会
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GB/T 1553-1997
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硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 1554-1995
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硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 4061-1983
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硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
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洛阳中硅
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讨论会
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GB/T 10117-1988
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高纯锑
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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GB/T 12963-1996
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硅多晶
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洛阳单晶硅有限责任公司
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讨论会
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GB/T 14140-1993
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硅片直径测量方法
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洛阳单晶硅有限责任公司
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讨论会
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GB/T 14139-1993
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硅外延片
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上海合晶硅材料有限公司
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讨论会
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GB/T 14144-1993
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硅晶中间隙氧含量径向变化测量方法
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峨嵋半导体材料厂
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讨论会
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整合
GB/T 15713-1995、GB/T 5238-1995
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锗单晶、锗单晶片
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南京锗厂有限责任公司
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讨论会
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第三次会议:项目包括 半导体年会
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国标
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项目名称
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主起草单位
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备注
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GB/T 14264-1993
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半导体材料术语
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中国有色金属工业标准计量质量研究所
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审定
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GB/T
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太阳能电池用单晶硅
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中国有色金属工业标准计量质量研究所
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讨论会
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GB/T
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太阳能电池用多晶硅
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中国有色金属工业标准计量质量研究所
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讨论会
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GB/T
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使用全反射X光荧光光谱测量硅片表面金属玷污的测试方法
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有研半导体材料股份有限公司
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讨论会
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GB/T
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半导体衬垫材料的亚表面损伤偏振反射差分谱(RDS)测试方法
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中国科学院半导体研究所
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讨论会
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GB/T
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硅片平整度、厚度及厚度变化测试 自动非接触扫描法
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上海合晶硅材料有限公司
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讨论会 | |