2005年全国半导体设备与材料分会年会通知
各标委会委员、会员单位及相关单位：
现定于2005年12月5日～8日在云南省昆明市召开2005年度全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会年会，请各标委会委员、会员单位及相关单位出席会议。现将有关事宜通知如下：
一、会议内容和会议日程
1、2005年12月5日：全天报到。
2、2005年12月 6日～8日：开会
会议内容如下：
① 国家标准化管理委员会、全国半导体设备与材料标准化技术委员会、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会领导讲话。
② 全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会秘书处作2005年度工作总结报告。
③ 表彰2005年度半导体材料标准化先进工作者
④ 讨论确定“十一五”半导体材料标准规划项目。
⑤ 讨论确定2006年度半导体材料国、行标计划项目及推荐起草单位（见附件1）。P会员单位可在此基础上提出新标准项目，并经会议论证后确认。
⑥ 预审和讨论一批标准项目（见附件2）。
二、会议报到地点及乘车路线
1、报到地点： 昆明市江滨西路1号 昆明希桥酒店
2、乘车路线：
① 机场： 乘52路公交车到护国桥下车，再转乘4路或83路公交车到红会医院下车即到；乘出租车约20元左右。
② 火车站： 乘83路公交车到红会医院下车即到；乘出租车约10元左右。
三、联系人、联系电话
标委会秘书处：贺东江、向 磊（010）62228796。
会务联系人：昆明古月会议服务公司 胡文荣 13608864565
四、费用
会议收取会务费800元/人。住宿统一安排，费用自理
五、协办单位：
云南会泽东兴集团公司。
六、回执单
务请各位参会代表将回执填妥，并于2005年11月30日前分别传真或请电话告知至秘书处，以便安排住宿等各项会务工作。否则将不能保证住宿和会议资料。
二○○五年十一月四日
抄报：国家标准化管理委员会
国家发展和改革委员会
中国有色金属工业协会
附件1：秘书处拟推荐国、行标计划项目
|
序号 |
标准名称 |
制定或修订 |
修订标准号 |
备注 |
|
1 |
太阳能电池用单晶硅 |
制定 |
|
国标 |
|
2 |
太阳能电池用多晶硅 |
制定 |
| |
|
3 |
硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 |
修订 |
GB/T13388-1992 | |
|
4 |
电子材料晶片参考面长度测量方法 |
修订 |
GB/T13387-1992 | |
|
5 |
硅片厚度和总厚度变化测试方法 |
修订 |
GB/T6618-1995 | |
|
6 |
半导体材料术语 |
修订 |
GB/T14264-1993 | |
|
7 |
使用全反射X光荧光光谱测量硅片表面金属玷污的测试方法 |
制定 |
| |
|
8 |
半导体衬垫材料的亚表面损伤偏振反射差分谱（RDS）测试方法 |
制定 |
| |
|
9 |
硅片直径测量方法 |
修订 |
GB/T 14140.2-1993与GB/T14140.1-1993整合 | |
|
10 |
硅片翘曲度非接触式测试方法 |
修订 |
GB/T6620-1995 | |
|
11 |
硅片弯曲度测试方法 |
修订 |
GB/T6619-1995 | |
|
12 |
硅抛光片表面质量目测检验方法 |
修订 |
GB/T6624-1995 | |
|
13 |
硅片平整度、厚度及厚度变化测试 自动非接触扫描法 |
制定 |
| |
|
14 |
非本征半导体材料导电类型测试方法 |
修订 |
GB/T1550-1997 | |
|
15 |
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 |
修订 |
GB/T4058-1995 | |
|
16 |
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 |
修订 |
GB/T1554-1995 | |
|
17 |
硅晶中间隙氧含量径向变化测量方法 |
修订 |
GB/T14144-1993 | |
|
18 |
高纯锑 |
修订 |
GB/T10117-1988 | |
|
19 |
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 |
修订 |
GB/T1558-1997 | |
|
20 |
用稳态表面光电压法测定硅中少数载流子扩散长度的标准方法（SPV） |
制定 |
|
行标 |
|
21 |
锗富集物 |
修订 |
YS/T 300-1994 |
附件2：预审和讨论项目
|
序号 |
标准名称 |
制定或修订 |
修订标准号 |
起草单位 |
|
1． |
高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测定氯量 |
修订 |
YS/T 37.1-1992 |
国家有色金属及电子材料分析测试中心 |
|
2． |
高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量 |
修订 |
YS/T 37.2-1992 |
国家有色金属及电子材料分析测试中心 |
|
3． |
高纯二氧化锗化学分析方法 石磨炉原子吸收光谱法测定砷量 |
修订 |
YS/T 37.3-1992 |
国家有色金属及电子材料分析测试中心 |
|
4． |
高纯二氧化锗化学分析方法 ICP-MS法测定镁、铅、镍、铝、铜、铟和锌量 |
修订 |
YS/T 37.4-1992 |
国家有色金属及电子材料分析测试中心 |
|
5． |
高纯二氧化锗化学分析方法 ICP-AEC原子吸收法测定钙量 |
修订 |
YS/T 37.4-1992 |
国家有色金属及电子材料分析测试中心 |
|
6． |
高纯二氧化锗化学分析方法 石磨炉原子吸收光谱法测定铁量 |
修订 |
YS/T 37.4-1992 |
国家有色金属及电子材料分析测试中心 |
|
7． |
高纯四氯化锗 |
修订 |
YS/T 13-1991 |
北京有色金属研究总院 |
|
8． |
区熔锗锭电阻率测试方法 |
制定 |
- |
云南会泽东兴集团实业有限公司 |
|
9． |
半导体材料术语 |
修订 |
GB/T 14264-1993 |
有色标准所、北京有色院、浙大海纳、上海贝岭、电子55所、中科院半导体所、洛阳单晶硅、峨眉半导体、万向硅峰、洛阳中硅、南京锗厂、东兴集团公司、宁波立立、西安骊晶、电子13所、广州半导体所等 |
回 执 单
(请务必于
秘书处传真：（010）62228796
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单位名称 |
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单位地址 |
| |||
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邮编 |
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网址 |
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代表姓名 |
部门 |
职务 |
电话/传真 |
E-mail |
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